針對日益增長的氮化鎵快充市場，英嘉通半導體目前已推出多款成熟的650V氮化鎵功率器件。器件技術種類齊全，成本競爭優(yōu)勢明顯，已經得到市場廣泛的認可，為不同的功率應用場景提供最簡單、經濟、高效的解決方案。

隨著氮化鎵在快充應用中的不斷滲透，英嘉通最新推出的一款650V氮化鎵功率器件IGC6041，為33W功率等級快充產品量身定制。

器件采用氮化鎵D-mode技術路線，配合低壓Si MOS組成Cascode結構，高閾值電壓，高效可靠，使用靈活。IGC6041可以搭配目前所有主流的氮化鎵專用驅動芯片及傳統(tǒng)硅驅動芯片，方案開發(fā)簡單，市場滲透能力強。同時，器件采用DFN5X6封裝，滿足客戶對小體積的追求。最后，通過創(chuàng)新的設計，降低Cascode器件成本，進一步提升器件的綜合競爭力。

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基于IGC6041，英嘉通推出多種快充方案。其中下圖這款33W PD快充方案使用國產驅動器，PCBA體積25*26*29CM，器件溫升低，效率高達92%以上。目前IGC6041已在多款方案上通過批量驗證，可以為客戶提供設計參考，幫助客戶快速實現量產。

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同時，英嘉通早期推出的IGC6021同樣為650V氮化鎵Cascode級聯(lián)器件，DFN8X8封裝，在65W快充應用中工作穩(wěn)定可靠，整機效率比肩傳統(tǒng)E-mode方案，已批量出貨并獲得客戶和市場的認可。

IGC6611 為650V 氮化鎵E-mode器件，DFN6X8封裝，低導通電阻，低米勒電容，具備行業(yè)領先的功率器件品質因數（RON*QG），為用戶帶來更高的開關頻率及轉換效率。

截至目前，英嘉通推出的氮化鎵全系列的多種器件類型能夠滿足不同的客戶設計需求，相應的PD快充和適配器方案，具有高功率密度、高效率、低成本、低待機功耗等特點，功率應用范圍涵蓋20W至120W，性能參數比肩現有商用方案。

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英嘉通半導體有限公司成立于2019年2月，位于深圳南山區(qū)科技園和蘇州相城區(qū)高鐵新城。英嘉通專注第三代化合物半導體，在氮化鎵功率器件領域布局多項自主專利技術。公司組建了一支由華為、中興、國內外知名公司工作多年的團隊，在半導體領域深耕多年，具有堅實的芯片設計能力及豐富的半導體產品銷售經驗。

英嘉通將參加11月26日充電頭網舉辦的 2021 USB PD & Type-C 亞洲展，對英嘉通方案感興趣的小伙伴歡迎蒞臨B07展臺洽談、咨詢。