新年伊始，英嘉通半導體推出首款65 W氮化鎵PD快充設計方案。方案采用英嘉通650 V增強型氮化鎵功率器件IGC6E01R0，為Ingacom HybridGaN TM?系列器件之一。該器件具有低導通電阻，低寄生電容等特點，適用于高頻高電壓功率轉(zhuǎn)換應用，并進一步提升功率密度。

方案搭載主流的安森美NCP1342作為初級主控芯片，高工作頻率，滿足小體積高功率密度需求。次級同步整流部分使用MPS MP6908A搭配恒泰柯 HGN080N10AL 100 V MOS為用戶提供輸出功率。

方案整體體積僅為30 mm X 19 mm X 19 mm，具有高功率密度、高效率（峰值效率 > 93 %）、低待機功耗（待機功耗 < 60 mW）等特點，220 V AC下氮化鎵功率器件IGC6E01R0溫升表現(xiàn)良好，安全可靠。同時支持多種充電協(xié)議，性能參數(shù)比肩現(xiàn)有商用65 W氮化鎵快充產(chǎn)品。目前器件各項參數(shù)標準及可靠性已驗證完成，預計2021年第一季度正式推出。